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BSM75GB120DN2 - SIEMENSPDF资料
英文描述：IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
中文描述：IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管的绝缘金属基片包）
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BSM75GB120DN2 - INFINEONPDF资料
英文描述：
中文描述：IGBT 模块 1200V 75A DUAL
技术规格：制造商:Infineon;产品种类:IGBT 模块;RoHS:否;产品:IGBT Silicon Modules;配置:Half Bridge Module;集电极—发射极较大电压 VCEO:1200 V;集电极—射极饱和电压:2.5 V;Continuous Collector Current at 25 C:105 A;栅极—射极漏泄电流:320 nA;功率耗散:625 W;较大工作温度: 150 C;封装 / 箱体:Half Bridge1;栅极/发射极较大电压:20 V;安装风格:Screw;Standard Pack Qty:500
BSM75GB120DN2_E3223 - INFINEONPDF资料
英文描述：
中文描述：IGBT 模块 N-CH 1.2KV 105A
技术规格：制造商:Infineon;产品:IGBT Silicon Modules;配置:Dual;集电极—发射极较大电压 VCEO:1200 V;Continuous Collector Current at 25 C:105 A;较大工作温度: 150 C;封装 / 箱体:34MM;封装:Reel;栅极/发射极较大电压: /- 20 V;小工作温度:- 40 C;安装风格:Screw
BSM75GB120DN2_E3223C-SE - INFINEONPDF资料
英文描述：
中文描述：IGBT 模块 IGBT 1200V 75A
技术规格：制造商:Infineon
